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数量:4667 |
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| 规格书 |
 MG/MVG_SF1N02LT1G |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 750mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 90 mOhm @ 1.2A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | - |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 125pF @ 5V |
| 功率 - 最大 | 400mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 1.3 |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 400 |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 90@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 2.9 |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 0.94 |
| 最大连续漏极电流 | 0.75 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 750mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 90 mOhm @ 1.2A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 400mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 125pF @ 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 750 mA |
| RDS（ON） | 90 mOhms |
| 功率耗散 | 400 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 90 mOhms |
| 系列 | MGSF1N02L |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 750 mA |
| 技术 | Si |
| Pd - Power Dissipation | 400 mW |
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